[发明专利]半导体晶片、半导体元件及其制造方法有效
申请号: | 200410008003.6 | 申请日: | 2004-03-05 |
公开(公告)号: | CN1577733A | 公开(公告)日: | 2005-02-09 |
发明(设计)人: | 根本义彦;春原昌宏;高桥健司 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社;株式会社东芝;新光电气工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/304;H01L21/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 刘宗杰;叶恺东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明可以在半导体晶片与支撑板贴合前后不对运送系统进行改变而将其加以利用,同时得到能放宽对半导体晶片的加工精度以及半导体晶片与支撑板的对位精度的要求,提高半导体元件的制造效率的半导体晶片。本发明的半导体晶片在边缘部形成了通过对背面削除来进行分离的台阶部4部,该台阶部4的深度大于通过对背面进行削除加工而形成的最终加工厚度,并且它的从平坦面1a向径向外侧方向延伸的尺寸比半导体晶片1和同该半导体晶片1有大致相同直径的支撑板的直径尺寸的加工公差的最大值-最小值之差与将半导体晶片1同支撑板贴合时产生的对位误差的最大值的总和值大。 | ||
搜索关键词: | 半导体 晶片 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体晶片,它是在作为形成了半导体电路的平坦面的正面贴合支撑板、并对其背面进行削除加工而成为薄板的半导体晶片,其特征在于:在边缘部形成了通过对背面削除来进行分离的分离部,该分离部的深度大于通过对上述背面进行削除加工而形成的最终加工厚度,并且它的从上述平坦面向径向外侧方向延伸的尺寸比上述半导体晶片和同该半导体晶片有大致相同直径的支撑板的直径尺寸的加工公差的最大值-最小值之差与将上述半导体晶片和上述支撑板贴合时产生的对位误差的最大值的总和值大。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造