[发明专利]图案形成方法有效
| 申请号： | 200410007839.4 | 申请日： | 2004-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN1574220A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 远藤政孝;笹子胜 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/30;G03F7/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种图案形成方法，在形成由含基础聚合物、照射光线后能产生酸的酸发生剂、和内酯的化学增幅型抗蚀材料构成的抗蚀膜(102)后，在向抗蚀膜(102)提供边循环边暂时被储存在溶液储备部中的水(103)的状态下，向抗蚀膜(102)选择性地照射曝光光(104)，以进行图案曝光。对已进行图案曝光的抗蚀膜(102)实施后烘焙之后，利用碱性显影液进行显影，就可以得到由抗蚀膜(102)的未曝光部(102b)构成的具有良好形状的抗蚀图案(105)。根据本发明，可以改善通过浸渍光刻法得到的抗蚀图案的形状。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种图案形成方法，其特征在于具备：形成含有基础聚合物、照射光线后能产生酸的酸发生剂、和具有阴性极性的物质的化学增幅型抗蚀膜的工序；在向所述抗蚀膜提供浸渍溶液的状态下，对所述抗蚀膜选择性地照射曝光光而进行图案曝光的工序；对已进行图案曝光的所述抗蚀膜进行显影而形成抗蚀图案的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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