[发明专利]多路复用器单元的布局结构无效
| 申请号: | 200410007694.8 | 申请日: | 2004-02-27 |
| 公开(公告)号: | CN1525566A | 公开(公告)日: | 2004-09-01 |
| 发明(设计)人: | 日高逸雄 | 申请(专利权)人: | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04;H01L21/82 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 穆德骏;陆弋 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 多路复用器单元布局结构是一个其中由P沟道晶体管和N沟道晶体管组成的单元阵列排列在两个上下行中的基本单元布局结构。而且,传输门的多个晶体管排列在单元阵列的上面和下面,多个排列的晶体管的输出终端由金属布线跨越在上下单元阵列之间进行上下连接。因此,能够获得这样一种多路复用器单元布局结构,该结构增加了4输入多路复用器反相器用于单芯片布局的2层金属布线的布线轨道。 | ||
| 搜索关键词: | 多路复用 单元 布局 结构 | ||
【主权项】:
1.一种多路复用器单元布局结构,包括:单元阵列,其由P沟道晶体管和N沟道晶体管组成且沿两个上下行排列;以及布线层,其由多个层组成,用于连接所述单元阵列,其中每个所述单元阵列都包括多个传输门,其中所述传输门的多个晶体管排列在上面一个所述单元阵列和下面一个所述单元阵列中,并且所述多个排列的晶体管的输出终端由所述布线层的2层金属布线跨越连接在所述上下单元阵列之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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