[发明专利]静电吸盘的制造方法无效
| 申请号： | 200410007630.8 | 申请日： | 2003-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN1525546A | 公开（公告）日： | 2004-09-01 |
| 发明（设计）人： | 在働竜二郎;荒井雅嗣;角谷匡规 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立高新技术 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;H01L21/302;C25D11/04;B23Q3/154 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种具有廉价的、高可靠性的静电吸盘的半导体制造装置。该静电吸盘具有以下特征：由绝缘体基板(6)、在其表面上形成的由铝构成的多个导电薄膜(4a，4b)以及将导电薄膜的表面阳极氧化而形成的钝化铝膜(2a、2b)构成。通过分别向导电薄膜(4a、4b)施加方向相反的直流电压，使该静电吸盘的吸附晶片(7)的面形成为静电双极形式。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 吸盘 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种静电吸盘的制造方法，所述静电吸盘设置在产生等离子体的真空处理室内，作为被处理材料的晶片被保持在所述静电吸盘的上面，其特征在于：上述静电吸盘的吸附上述晶片的面为静电双极的形式，并通过对铝进行阳极氧化而生成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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