[发明专利]双极型晶体管的制造方法无效
| 申请号： | 200410007082.9 | 申请日： | 2004-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN1532898A | 公开（公告）日： | 2004-09-29 |
| 发明（设计）人： | 新藤正夫 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/73 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种双极型晶体管的制造方法。通过沿半导体单晶基板(100)的主面的法线方向在半导体单晶基板(100)上离子注入(150)第二导电型的第一杂质，而形成集电极层(102)。而且，沿着对半导体单晶基板(100)的法线方向具有倾斜角度的方向在半导体单晶基板(100)上，通过以比第一杂质的离子注入处理更高的注入能量离子注入(151)第二导电型的第二杂质，形成埋入集电极层(103)。然后，在集电极层(102)的表面部的规定区域上形成第一导电型的基极层(104)以及第二导电型的发射极层(105)。由此，既可以避免由多重离子注入法产生的问题，又可以不进行外延生长工序而制造双极型晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 双极型 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双极型晶体管的制造方法，其特征在于，具备：第一工序，通过沿第一导电型半导体单晶基板的主面的法线方向在所述半导体单晶基板上离子注入第二导电型的第一杂质，形成第二导电型集电极层；第二工序，沿着对所述法线方向具有倾斜角度的方向在所述半导体单晶基板上，通过以比所述第一工序的离子注入处理更高的注入能量离子注入第二导电型的第二杂质，而在所述集电极层的下部形成第二导电型的埋入集电极层；和第三工序，在所述集电极层的表面部的规定区域上形成第一导电型的基极层以及第二导电型的发射极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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