[发明专利]半导体集成器件及用于设计该半导体集成器件的设备有效
| 申请号: | 200410007081.4 | 申请日: | 2004-02-27 |
| 公开(公告)号: | CN1525565A | 公开(公告)日: | 2004-09-01 |
| 发明(设计)人: | 平田守央 | 申请(专利权)人: | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04;H01L21/82 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 朱进桂 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 一种半导体集成器件包括多个电源系统电路单元、从第一电源配线106向其提供电能的第一电路单元101、以及第一电路单元与之相连的第一接地配线109。此外,所述半导体集成器件包括从第二电源配线113向其提供电能的第二电路单元102、以及第二电路单元与之相连的第二接地配线116。第一电路单元包括第一接口电路单元104,而第二电路单元包括被配置以进行向和从第一接口电路单元输入或输出信号的第二接口电路单元111。第一接地配线通过保护电路117与第二接地配线相连,并将第二接口电路单元放置在第一接口电路单元附近。 | ||
| 搜索关键词: | 半导体 集成 器件 用于 设计 设备 | ||
【主权项】:
1、一种半导体集成器件,包括:第一电路单元,从第一电源配线和第二电源配线向其提供电能;第二电路单元,从第三电源配线和第四电源配线向其提供电能;在所述第一电路单元中形成的第一接口电路单元;以及在所述第二电路单元中形成的第二接口电路单元,配置所述第二接口电路单元,以执行向所述第一接口电路单元输入信号和从所述第一接口电路单元输出信号中的任何一个,其中,所述第二电源配线至少通过被配置以在给定电压或以上导通的保护电路,在节点处与所述第四电源配线相连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





