[发明专利]配线结构的形成方法无效
| 申请号： | 200410006520.X | 申请日： | 2004-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN1527376A | 公开（公告）日： | 2004-09-08 |
| 发明（设计）人： | 宍田佳谦;渡边裕之 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种配线结构的形成方法，它能够抑制由用于形成开口部的光致抗蚀剂膜产生的氮系化合物气体引起的图形不良的问题。该配线结构形成方法包括：在第一配线层上，形成第一绝缘膜以及用于抑制含氮气体透过的气体透过抑制膜的工序；在第一绝缘膜和气体透过抑制膜上形成第一开口部的工序；进行在第一开口部形成后实施热处理或者在真空下保持的至少任何一种的工序；其后，至少在第一绝缘膜上形成第二开口部的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种配线结构的形成方法，包括以下工序：形成第一配线层的工序；在所述第一配线层上形成第一绝缘膜的工序；在所述第一配线层上，形成用于抑制含氮气体透过的气体透过抑制膜的工序；在所述第一绝缘膜和所述气体透过抑制膜上形成第一开口部的工序；进行在所述第一开口部形成后实施热处理或者在真空下保持的至少任何一种的工序；其后，至少在所述第一绝缘膜上形成第二开口部的工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三洋电机株式会社，未经三洋电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410006520.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：坚固贯孔结构及方法
- 下一篇：镶嵌处理方法、镶嵌处理装置和镶嵌构造
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
