[发明专利]非挥发性存储单元及其制造方法有效
| 申请号： | 200410006126.6 | 申请日： | 2004-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN1665029A | 公开（公告）日： | 2005-09-07 |
| 发明（设计）人： | 葛兆民;董家庆;谢佳桦 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L27/105;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王一斌 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种非挥发性存储单元(Memory Cell)，包括一开关装置，设置于一基板上；一第一平板电容，具有一第一掺杂区；以及一第二平板电容，具有一第二掺杂区，其中该开关装置与第一、第二平板电容是共享一多晶硅浮置栅极，以储存电荷作为该非挥发性存储单元的写入，并且在不导致该非挥发性存储单元内任何接面崩溃之下，由该第一掺杂区与该浮置栅极间的隧通(tunneling)，来抹除该非挥发性存储单元；且该第一、第二掺杂区是在该多晶硅浮置栅极形成之前，形成于该基板中，使得在一操作电压范围之内，该第一、第二平板电容的电容值为固定值。 | ||
| 搜索关键词： | 挥发性 存储 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非挥发性存储单元，包括：一开关装置，设置于一基板上；一第一平板电容，具有一第一掺杂区；以及一第二平板电容，具有一第二掺杂区，其中该开关装置与第一、第二平板电容共享一多晶硅浮置栅极，以储存电荷作为该非挥发性存储单元的写入，并且在不导致该非挥发性存储单元内任何接面崩溃之下，由该第一掺杂区与该浮置栅极间的隧通，来抹除该非挥发性存储单元；且该第一、第二掺杂区是在该多晶硅浮置栅极形成之前，形成于该基板中，使得在一操作电压范围之内，该第一、第二平板电容的电容值为固定值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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