[发明专利]坚固贯孔结构及方法有效
申请号: | 200410005341.4 | 申请日: | 2004-02-11 |
公开(公告)号: | CN1527375A | 公开(公告)日: | 2004-09-08 |
发明(设计)人: | A·考利;E·卡塔利奥格鲁;M·斯特特 | 申请(专利权)人: | 因芬尼昂技术股份公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/30 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 程天正;梁永 |
地址: | 联邦德*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 一种传导线路形成于第一绝缘层,第二绝缘层形成于该传导线路及该第一绝缘层上,该贯孔延伸通过该第二绝缘层以与至少该传导线路的顶部表面接触,该贯孔亦延伸通过该第一绝缘层以与至少该传导线路的至少一侧壁的顶部部分接触,该传导线路侧壁包括向外延伸的钩形区域,以使一部分该贯孔位于该传导线路钩形区域下方,形成锁定区域于接近该传导线路钩形区域的该贯孔内。 | ||
搜索关键词: | 坚固 结构 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制造半导体装置的方法,其包括:提供一种工件;将第一绝缘层放置于该工件上;以传导线路图案图案化该第一绝缘层;以传导材料填充该传导线路图案以形成至少一传导线路于该第一绝缘层内,该传导线路包括顶部表面及至少一侧壁;将第二绝缘层置于该第一绝缘层及该至少一传导线路上方;移除一部份该第二绝缘层以露出至少一部份该传导线路的顶部表面;移除一部份该第一绝缘层以露出至少该传导线路的至少一侧壁的顶部部份,其中移除一部份该第二绝缘层及移除一部份该第一绝缘层包括形成一贯孔开孔;及以传导材料填充该贯孔开孔以形成贯孔,其中该贯孔与至少一部份该传导线路的顶部表面及与至少该传导线路的至少一侧壁的顶部部份接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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