[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 200410004010.9 | 申请日： | 2004-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN1519927A | 公开（公告）日： | 2004-08-11 |
| 发明（设计）人： | 浅野哲郎;榊原干人;平井利和 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L23/48;H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 马莹;邵亚丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，可以解决在微波FET中，内在的肖特基接合电容或pn结电容小，这些接合对静电的防护弱。但是在微波器件中，通过连接保护二极管导致寄生电容增加，带来高频特性恶化而不能采用该方法的问题。本发明的半导体装置并联设置2条从栅极电极焊盘开始到工作区域上的施加电极的路径，1条通过源极电极焊盘附近，另1条通过漏极电极附近，通过在各个接近的部分将保护元件连接在栅极电极－源极电极间、栅极电极－漏极电极间，可以使FET的静电破坏电压从100V左右提高到700V。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，包括：在衬底上具有多个电极的工作区域和与所述电极连接的多个电极焊盘的元件；连接部件，与从一个所述电极焊盘以多个路径延伸的所述工作区域上的1个电极连接；多个保护元件，在第1高浓度区域和第2高浓度区域之间配置绝缘区域，在所述各路径途中的所述1个电极和其他的所述电极之间，分别连接至少每次1个所述保护元件，将该两电极间的静电破坏电压与连接所述保护元件之前进行比较，使之提高20V以上。
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