[发明专利]电子发射器件的制造方法无效
| 申请号： | 200410003954.4 | 申请日： | 1994-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN1512528A | 公开（公告）日： | 2004-07-14 |
| 发明（设计）人： | 大西敏一;山野边正人;野村一郎;鲈英俊;坂野嘉和;小野武夫;三留正则 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李德山 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种制造电子源的方法，包括下列步骤：形成多个导电膜，每个导电膜包括裂缝，并连接到衬底上的线路；在每个所述导电膜的所述裂缝中，形成含有碳作为主要成分的淀积物与所述导电膜相连，形成所述淀积物的步骤包括这样的步骤：在含碳的环境中通过所述线路向每个所述导电膜施加电压。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 发射 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造电子源的方法，包括下列步骤：形成多个导电膜，每个导电膜包括裂缝，并连接到衬底上的线路；在每个所述导电膜的所述裂缝中，形成含有碳作为主要成分的淀积物与所述导电膜相连，形成所述淀积物的步骤包括这样的步骤：在含碳的环境中通过所述线路向每个所述导电膜施加电压。
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