[发明专利]化学机械抛光方法以及与其相关的洗涤/冲洗方法无效
| 申请号： | 200410003542.0 | 申请日： | 2004-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN1534736A | 公开（公告）日： | 2004-10-06 |
| 发明（设计）人： | 江尻一昭 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/306;B24B1/00;B24B37/04 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;陆弋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在抛光形成在半导体晶片(SW)上的低k材料绝缘层的化学机械抛光方法中，制备由水、研磨剂、使半导体晶片的低k材料绝缘层变为亲水性的第一添加剂以及增加水性研磨浆的酸性的第二添加剂构成的水性研磨浆。输送水性研磨浆到比半导体晶片的直径大的旋转的抛光垫(12)上。将半导体晶片的低k材料绝缘层加到并压在旋转的抛光垫上，同时旋转的半导体晶片(SW)与旋转的抛光垫(12)以相同的旋转方向旋转，从而改善半导体晶片的低k材料绝缘层的抛光速度。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械抛光 方法 以及 与其 相关 洗涤 冲洗 | ||
【主权项】：
1.一种抛光形成在半导体晶片(SW)上的低k材料绝缘层的化学机械抛光方法，该方法包括：制备由水、研磨剂、使所述半导体晶片的低k材料绝缘层变为亲水性的第一添加剂以及增加所述水性研磨浆的酸性的第二添加剂构成的水性研磨浆；输送所述水性研磨浆到旋转的抛光垫(12)；以及将所述半导体晶片的低k材料绝缘层加到并压在所述旋转的抛光垫上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩益禧电子股份有限公司，未经恩益禧电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410003542.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
