[发明专利]半导体装置制造方法

摘要

本半导体装置的制造方法包括：在硅衬底(1)的主表面上形成第1及第2有源区域(10，20)的工序；在硅衬底(1)的主表面上形成第1热氧化膜(3a)的工序；通过有选择地除去第1热氧化膜(3a)的预定部位，使第2有源区域(20)露出的工序；在第1及第2有源区域(10，20)上，形成第2热氧化膜(3b)的工序；在第2热氧化膜(3b)的形成温度以上的温度时，在第1及第2热氧化膜(3a，3b)上实施低温退火处理的工序；以及介于实施了该低温退火处理的第1及第2热氧化膜(3a，3b)形成第1及第2栅极(6a，6b)的工序。由此，提供一种降低了半导体衬底内部的遗留应力的半导体装置的制造方法就成为可能。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，其中的半导体装置具有含不同膜厚的栅极绝缘膜的电场效应晶体管，其特征在于，包括：通过在半导体衬底的主表面上形成槽隔离膜，来形成第1及第2有源区域的工序；在上述第1及第2有源区域上，形成第1绝缘膜的工序；通过有选择地除去上述第1绝缘膜的预定部位，使上述第2有源区域露出的工序；在上述第1及第2有源区域上，形成第2绝缘膜的工序；在上述第2绝缘膜的形成温度以上的温度时，在上述第1及第2绝缘膜中实施低温退火处理的工序；以及，介于实施了该低温退火处理的上述第1及第2绝缘膜，在上述第1有源区域上形成第1栅极，介于实施了该低温退火处理的上述第2绝缘膜，在上述第2有源区域上形成第2栅极的工序。