[发明专利]半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 200410002759.X | 申请日： | 2004-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN1523657A | 公开（公告）日： | 2004-08-25 |
| 发明（设计）人： | 齐藤隆幸 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明可提高沟渠形成用抗蚀图案的尺寸控制性。在覆盖Cu配线1的层间绝缘膜2内，形成与Cu配线1连接的通孔3。通过电解在通孔3内填充导电性高分子4。在层间绝缘膜2上通过照片制版形成抗蚀图案5，通过以抗蚀图案5为掩模的蚀刻，形成与通孔3连接的沟渠6。然后，除去抗蚀图案5及导电性高分子4。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有双重镶嵌构造的半导体装置的制造方法，包括：在覆盖下地配线的层间绝缘膜内，形成与该下地配线连接的通孔的工序；在上述通孔内，通过电解形成导电性高分子的工序；形成上述导电性高分子后，在上述层间绝缘膜上形成抗蚀图案的工序；通过以上述抗蚀图案为掩模的蚀刻，形成与上述通孔连接的沟渠的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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