[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200410002557.5 | 申请日： | 2004-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN1519926A | 公开（公告）日： | 2004-08-11 |
| 发明（设计）人： | 宇佐美达矢;森田升 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;陆弋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的一个目的是改善扩散阻挡膜的层间粘附性，同时保持扩散阻挡膜的较低的介电常数。由含有硅、碳、氢和氮作为构成元素并且还含有Si－H键、Si－C键和亚甲基键(－CH2－)的绝缘材料构成的铜互连的扩散阻挡膜。绝缘材料包括在红外吸收谱中出现的不低于0.067的I2/I1和不高于0.0067的I3/I1；这里I1定义为具有接近810cm－1的峰值的红外吸收带的吸收区，I2定义为具有接近2120cm－1的峰值的红外吸收带的吸收区，I3定义为具有接近1250cm－1的峰值的红外吸收带的吸收区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；布置在所述半导体衬底上的金属膜；以及覆盖所述金属膜的上表面的扩散阻挡膜，其中所述扩散阻挡膜包括含有硅、碳、氢和氮作为构成元素的绝缘材料，并且其中所述绝缘材料含有Si-H键、Si-C键和亚甲基键(-CH2-)。
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