[发明专利]一种漫射板及其制造方法无效
| 申请号： | 200410001907.6 | 申请日： | 2004-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN1519590A | 公开（公告）日： | 2004-08-11 |
| 发明（设计）人： | 沃尔特·H·奥古斯丁;理查德·A·贡汀 | 申请（专利权）人： | ASML控股股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B5/02 | 分类号： | G02B5/02;G03F7/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 寇英杰 |
| 地址： | 荷兰费*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种在基板上制造的电磁辐射漫射体，可以在远紫外(EUV)波长处有效工作。该漫射体包括具有峰和谷轮廓的随机结构，在其上蒸发有高度反射的涂层，反射性涂层基本上采取其下的峰和谷轮廓的形状。然后在反射性涂层上制造吸收性光栅，该光栅间隔会因为其下的随机结构的轮廓而漫射性地反射电磁辐射，该吸收性光栅会吸收电磁辐射。因此该光栅成为一个专门的Ronchi划线，它可以用于超短波长反射光刻系统例如EUV光刻系统的波前评估和其它光学诊断。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 漫射 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电磁辐射漫射体，包括：具有第一和第二表面的基板，所述第一表面具有带单独格栅单元的三维轮廓的结构；形成在所述第一表面上的反射性涂层，所述反射性涂层与所述结构相一致；以及形成在所述反射性涂层上的吸收性光栅，所述吸收性光栅包括间隔；其中，所述吸收性光栅吸收电磁辐射的第一部分，而穿过所述间隔的该电磁辐射的第二部分被所述反射性涂层漫射性地反射。
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