[发明专利]多孔Si3N4及其制备方法无效
| 申请号： | 200410001478.2 | 申请日： | 2004-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN1522989A | 公开（公告）日： | 2004-08-25 |
| 发明（设计）人： | 佐藤武;朴辰珠 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C04B38/00 | 分类号： | C04B38/00;C04B38/06;C04B35/626;C04B35/65;C04B35/584 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张平元;赵仁临 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种多孔Si3N4制备方法，所述多孔Si3N4具有高气孔率、并且具有纵横比高的Si3N4粒子，该法具有下列工序：混合工序，把Si粉末和作为第一烧结助剂的至少1种稀土类元素化合物粉末加以混合，得到混合粉末，其中，对Si粉末100质量份，稀土类元素化合物换算成氧化物达到7.5～45质量份；添加工序，往该混合粉末中添加粘合剂；成型工序，用该混合粉末和粘合剂的混合物制造成型制品的成型工序；脱粘合剂工序，把该成型制品在氮氛围气中加热到300～500℃，除去粘含剂而形成脱粘合剂体；氮化工序，把该脱粘合剂体在氮氛围气中加热到1350～1500℃，进行氮化而制作氮化体；烧结工序，把该氮化体于1750～1900℃的温度在0.1～1个大气压的氮气中进行烧结。 | ||
| 搜索关键词： | 多孔 si sub 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.多孔Si3N4的制备方法，该方法包括：(a)混合工序，把Si粉末和作为第一烧结助剂的至少1种稀土类元素化合物加以混合得到混合粉末，其中，对Si粉末100质量份，稀土类元素化合物换算成氧化物达到7.5～45质量份；(b)往该混合粉末中添加粘合剂的添加工序；(c)用该混合粉末和粘合剂的混合物制造成型制品的成型工序；(d)脱粘合剂工序，把该成型制品在氮气氛围中加热到300～500℃，除去粘合剂而形成脱粘合剂体；(e)氮化工序，把该脱粘合剂体在氮气氛围中加热到1350～1500℃，进行氮化而制作氮化体；(f)烧结工序，把该氮化体于1750～1900℃在0.1～1个大气压的氮气压中进行烧结。
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