[发明专利]带有微波双极晶体管的半导体器件无效
| 申请号： | 200410001239.7 | 申请日： | 1998-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN1516285A | 公开（公告）日： | 2004-07-28 |
| 发明（设计）人： | 加藤博 | 申请（专利权）人： | NEC化合物半导体器件株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 张天舒;谷惠敏 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 带有双极晶体管的半导体器件，可减少基极连接层和集电区之间的寄生电容；包括：具有主表面的半导体衬底，形成在衬底中的集电区、基区和发射区，形成在衬底主表面上并与集电区重叠的第一介电层，形成在第一介电层上并施加有特定电势的导电层，形成以覆盖导电层的第二介电层，形成在第二介电层上并与基区电连接的基极连接层，以及与基极连接层电连接的基极。发射区、基区和集电区构成双极晶体管，导电层与电源线电连接。导电层作为屏蔽电极，利用法拉第屏蔽效应，防止了在集电区和基极连接层之间产生寄生电容。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 微波 双极晶体管 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件包括：具有主表面的半导体衬底；形成在所述衬底内的集电区；形成在所述衬底内的基区；形成在所述衬底内的发射区；形成在所述衬底的主表面上并与所述集电区叠在一起的第一介电层；形成在所述第一介电层上并施加有特定电势的导电层；所形成的覆盖所述导电层的第二介电层；形成在所述第二介电层上并与所述基区电连接的基极连接层；和与所述基极连接层电连接的基极；其中，所述发射区、所述基区和所述集电区构成双极晶体管，所述导电层与电源线电连接；而且其中所述导电层是作为屏蔽电极，利用法拉第效应，它可以防止在所述集电区和所述基极连接层之间产生寄生电容，由此降低集电极-基极电容。
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