[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200410001207.7 | 申请日： | 2004-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN1518130A | 公开（公告）日： | 2004-08-04 |
| 发明（设计）人： | 本田浩嗣 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/866 | 分类号： | H01L29/866;H01L29/861 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的，在于：提供一种包括具有特性比现在的优良的稳压元件的半导体器件。本发明的半导体器件，包括：形成在N型阱21表面的P型高浓度杂质扩散层25、接着高浓度杂质扩散层25而形成并将高浓度杂质扩散层25包围起来的P型中浓度杂质扩散层26、以及形成为将高浓度P型杂质扩散层25及中浓度P型杂质扩散层26包围起来的元件隔离区域22。高浓度P型杂质扩散层25的杂质浓度比阱21的杂质浓度大，中浓度P型杂质扩散层26的杂质浓度比阱21的杂质浓度大且比高浓度P型杂质扩散层25的杂质浓度小。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于：包括：形成在第一导电型的半导体层上且为第二导电型的高浓度杂质扩散层、所形成的与所述高浓度杂质扩散层相邻并将所述高浓度杂质扩散层的周围包围起来的第二导电型的中浓度杂质扩散层以及所形成的用以将含有所述高浓度杂质扩散层及所述中浓度杂质扩散层的区域包围起来的元件隔离区域；所述第二导电型的高浓度杂质扩散层为一杂质浓度比所述第一导电型半导体层的杂质浓度大的层；所述第二导电型的中浓度杂质扩散层为一杂质浓度比所述第一导电型的半导体层的杂质浓度大且比所述第二导电型的高浓度杂质扩散层的杂质浓度小的层。
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