[发明专利]晶体管及其制造方法、电光装置、半导体器件及电子设备无效
| 申请号： | 200410001049.5 | 申请日： | 2004-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN1518129A | 公开（公告）日： | 2004-08-04 |
| 发明（设计）人： | 川田浩孝;安川昌宏 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;G02F1/133 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 陈海红;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供具有充分的耐压特性、具有能够用容易进行的工序形成的栅绝缘膜、进而不需要进行高温的结晶化处理的晶体管及其制造方法、以及具有这种晶体管的电光装置、半导体器件、电子设备。至少具有单晶半导体层1a及设在单晶半导体层1a上的栅绝缘膜2。栅绝缘膜2具有形成在单晶半导体层1a上的热氧化膜2a和形成在该热氧化膜2a上的至少一层气相合成绝缘膜2b。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 制造 方法 电光 装置 半导体器件 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管，至少具有单晶半导体层和设在上述单晶半导体层上的栅绝缘膜，其特征在于，上述栅绝缘膜具有形成在上述单晶半导体层上的热氧化膜和形成在该热氧化膜上的至少一层气相合成绝缘膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工爱普生株式会社，未经精工爱普生株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410001049.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件及其制造方法
- 下一篇：半导体器件
- 同类专利
- 专利分类
