[发明专利]氮化镓透明导电氧化膜欧姆电极的制作方法无效
| 申请号： | 200410000889.X | 申请日： | 2004-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN1641895A | 公开（公告）日： | 2005-07-20 |
| 发明（设计）人： | 彭隆瀚;巫汉敏;王菘豊;张家玮;林晋逸 | 申请（专利权）人： | 泰谷光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/00;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氮化镓透明导电氧化膜欧姆电极的制作方法，是在氮化镓膜层上形成导电透明膜，再在该导电透明膜上利用离子扩散方式，以在氮化镓膜层表层上形成电气特性相反的透明导电异质接口，以及在该透明导电异质接口的表面铺设一金属厚膜，以用于后续制程打线，因此使用上述的离子扩散方式利用电子、电子空穴的穿隧效应，改善该异质接口的费米能阶位置以形成一欧姆接触电极。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 透明 导电 氧化 欧姆 电极 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓透明导电氧化膜欧姆电极的制作方法，是在氮化镓膜层(10)上形成导电透明膜(20)，其特征在于以下步骤：(a)在所述氮化镓膜层(10)表面形成一具有高功函数的所述导电透明膜(20)；(b)在所述导电透明膜(20)上利用离子扩散方式，以在所述氮化镓膜层(10)表层上形成电气特性相反的透明导电异质接口(21)；以及(c)在所述透明导电异质接口(21)的表面铺设一金属厚膜(30)，以用于后序制程打线；因此使用所述离子扩散方式利用电子、电子空穴的穿隧效应，使所述异质接口(21)形成一欧姆接触电极。
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