[发明专利]一种在玻璃衬底上制备碳纳米管的方法无效
| 申请号： | 200410000726.1 | 申请日： | 2004-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN1558441A | 公开（公告）日： | 2004-12-29 |
| 发明（设计）人： | 李德杰;任延来;朱丹 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;H01J1/304;C01B31/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种在玻璃衬底上制备碳纳米管的方法，属于碳纳米管生长技术领域，特别涉及碳纳米管场发射阴极的制备。本发明以玻璃作衬底，先在玻璃衬底上沉积一层II主族金属或稀土金属的氟化物薄膜，再在其上沉积铁、钴、镍、钯或这些材料组成的合金薄膜作为催化剂，然后用常规生长技术在其上生长碳纳米管；或先在玻璃衬底上沉积一层铁、钴、镍、钯或这些材料的合金薄膜作为催化剂，再在其上沉积一层II主族金属或稀土金属的氟化物薄膜，然后在其上生长碳纳米管，所述生长碳纳米管时的衬底温度为400～650℃。本方法成功地解决了在低温条件下碳纳米管生长问题，可以实现在大面积衬底上且大批量生产，由于以玻璃为衬底，可明显降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 玻璃 衬底 制备 纳米 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在玻璃衬底上制备碳纳米管方法，其特征在于该方法按如下步骤进行：先在玻璃衬底上沉积一层II主族金属钙、镁、锶、钡的氟化物或稀土金属的氟化物薄膜，再在其上沉积铁、钴、镍、钯或这些材料组成的合金薄膜作为催化剂，然后用常规生长技术在其上生长碳纳米管；或先在玻璃衬底上沉积一层铁、钴、镍、钯或这些材料的合金薄膜作为催化剂，再在其上沉积一层II主族金属钙、镁、锶、钡或稀土金属的氟化物薄膜，然后在其上生长碳纳米管，所述生长碳纳米管时的衬底温度为400～650℃。
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