[发明专利]非极性(Al,B,In,Ga)N量子阱有效
| 申请号： | 200380110999.5 | 申请日： | 2003-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN1894771A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·D·科雷文;斯蒂芬·P·登巴尔斯 | 申请（专利权）人： | 加利福尼亚大学董事会;独立行政法人科学技术振兴机构 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方;刘国伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开一种制作非极性a－平面GaN/(Al，B，In，Ga)N多量子阱(MQW)的方法。a－平面MQW通过有机金属化学气相沉积(MOCVD)在适当的GaN/蓝宝石模板层上生长，阱宽度范围介于20至70之间。来自a－平面MQW的室温光致发光(PL)发射能量遵循一使用自相容泊松薛定谔(self－consistent Poisson－Schrodinger，SCPS)计算来建模的方阱趋势。在a－平面MQW的量子阱宽度为52时获得最佳PL发射强度。 | ||
| 搜索关键词： | 极性 al in ga 量子 | ||
【主权项】：
1、一种用于形成一氮化物半导体装置的方法，其包括： (a)在一衬底上生长一个或多个氮化镓(GaN)层；及 (b)在所述GaN层上生长一个或多个非极性(Al，B，In，Ga)N层，以 形成至少一个宽度范围从约20至约70的量子阱。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
