[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200380110455.9 | 申请日： | 2003-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN1839479A | 公开（公告）日： | 2006-09-27 |
| 发明（设计）人： | 姉崎彻 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/788;H01L29/792;H01L27/115;H01L21/8247;H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 孙海龙 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 公开了一种半导体装置，其包括具有阻挡特性的绝缘膜侧壁间隔体。该半导体装置包括：形成在半导体基底上的栅氧化物膜和栅极；形成在半导体基底中的源/漏区；以及形成在栅极的侧壁上的第一多层侧壁间隔体。所述第一多层侧壁间隔体具有两层或更多层，并包括氮化物膜作为除最外层以外的层。侧壁间隔体的最外层由氧化物膜或氮氧化合物膜制成，且其底面与所述半导体基底、所述栅氧化物膜或侧壁间隔体的除所述氮化物膜层以外的层接触。该半导体装置还可以包括非易失性存储器的多层栅极结构、和形成在所述多层栅极结构的侧壁上的第二多层侧壁间隔体。所述第二多层侧壁间隔体具有三层或更多层，并包括作为不与所述半导体基底接触的中间层的氮化物膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，包括：半导体基底；形成在所述半导体基底上的第一栅氧化物膜；形成在所述第一栅氧化物膜上的第一栅极；第一源/漏区，形成在所述半导体基底中所述第一栅极的两侧；以及第一层叠侧壁间隔体，其具有两层或更多层并形成在所述第一栅极的侧壁上，所述第一层叠侧壁间隔体包括作为除最外层以外的层的氮化物膜，所述最外层由氧化物膜或氮氧化物膜制成，并具有与所述半导体基底、所述第一栅氧化物膜或除所述氮化物膜以外的侧壁间隔体层接触的底面。
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