[发明专利]远紫外区光源和远紫外区光源用靶无效
| 申请号： | 200380110199.3 | 申请日： | 2003-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN1759467A | 公开（公告）日： | 2006-04-12 |
| 发明（设计）人： | 长井圭治;西村博明;乘松孝好;西原功修;宫永宪明;中塚正大;井泽靖和;山中龙彦;中山光男;重森启介;村上匡且;岛田义则;内田成明;古河裕之;砂石淳;瓦西利·扎克夫斯基;松井亮二;日比野隆宏;奥野智晴 | 申请（专利权）人： | 关西TLO株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/20;G21K1/00;G21K5/02;H05G1/00;H05H1/24;H01J35/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明构成为以提供可以通过高的发光效率来发出远紫外区光的远紫外区光源用靶为目的。这种目的如下这样来实现。使用由重金属或重金属化合物构成的为0.5％～80％的固体的靶。若激光照射该靶，则生成靶含有的重金属的等离子体，从该等离子体中放射对应于该重金属的种类的规定波长的远紫外区光。通过使靶的密度比如上所述结晶密度小，控制所生成的等离子体密度的空间分布，而可以使等离子体吸收激光的能量的区域和等离子体发出远紫外区光的区域一致。由此，可以抑制能量的损耗而使发光效率提高。例如，与使用Sn结晶的靶相比，使用了例如密度为结晶密度的24％的SnO2靶在波长13.5nm附近的发光效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外 光源 | ||
【主权项】：
1、一种远紫外区光源用靶，其特征在于：通过调整密度而使激光吸收区域和远紫外光发光区域在空间上接近。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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