[发明专利]形成微电子电路元件的方法无效
| 申请号： | 200380109642.5 | 申请日： | 2003-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN1748289A | 公开（公告）日： | 2006-03-15 |
| 发明（设计）人： | 布赖恩·多伊尔;阿南德·默西;罗伯特·乔 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 | 代理人： | 齐永红 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述一种形成微电子电路元件的方法。在支撑层的上表面形成牺牲层。所述牺牲层极薄且均匀。然后在所述牺牲层上形成定高层，此后蚀刻掉所述牺牲层，使得在所述支撑层的上表面和所述定高层的下表面之间留下明确界定的间隙。然后，通过所述间隙从成核硅位置选择性地生长单晶半导体材料。所述单晶半导体材料形成具有厚度与所述原始牺牲层的厚度一致的单晶层。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 微电子 电路 元件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成微电子电路元件的方法，包括：形成牺牲层，所述牺牲层具有在支撑层的上表面上的下表面；形成定高层，所述定高层具有在所述牺牲层的上表面上的下表面；除去牺牲层，从而在所述支撑层的所述上表面和所述定高层的所述下表面之间定义间隙；以及至少部分地通过所述间隙从成核位置生长单晶半导体材料，所述半导体材料的高度由所述间隙的高度定义。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
