[发明专利]用于非易失性存储器的错误恢复有效
| 申请号： | 200380109295.6 | 申请日： | 2003-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN1745432A | 公开（公告）日： | 2006-03-08 |
| 发明（设计）人： | 鲁克·徐;陈建 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于边缘(marginal)非易失性存储器单元上的错误恢复技术。因为边缘存储器单元具有一小于零伏的电压阈值(VT)，所以边缘存储器单元是不可读的。通过对邻近的存储器单元施加偏压，将转移(shift)所述边缘存储器单元的电压阈值，使得其为一正值。接着可确定所述边缘存储器单元的VT。所述技术适用于二进制和多状态存储器单元。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 非易失性存储器 错误 恢复 | ||
【主权项】：
1.一种操作一存储器集成电路的方法，其包括：提供一以NAND结构组织的存储器单元串；选择所述串中的一第一存储器单元以从其中读取数据；将一VWL电压置于所述第一存储器单元的一字线上；对于一存储器单元标准读取模式，将一第一VREAD电压置于一邻近于所述第一存储器单元的第二存储器单元的一字线上；对于一存储器单元恢复读取模式，将一第二VREAD电压置于所述第二存储器单元的所述字线上，其中所述第二VREAD电压不同于所述第一VREAD电压；和从所述第一存储器单元读取数据。
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