[发明专利]转移微电子和其它工业生产过程中的超临界流体的方法无效
| 申请号： | 200380109233.5 | 申请日： | 2003-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN1741973A | 公开（公告）日： | 2006-03-01 |
| 发明（设计）人： | J·B·麦克莱恩;J·P·德扬;S·M·格罗斯;M·I·沃纳 | 申请（专利权）人： | 米歇尔技术公司 |
| 主分类号： | C03C23/00 | 分类号： | C03C23/00;B08B3/00;B08B5/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 韦欣华;赵苏林 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种将超临界流体从压力容器(例如在微电子生产工艺中)中置换出来的方法，其包括以下步骤：提供密闭压力容器，其中含有第一超临界流体(所述超临界流体优选包括二氧化碳)；向所述容器中加入第二流体(典型地，也为超临界流体)，其中第二流体添加的压力高于第一超临界流体的压力，第二流体的密度低于第一超临界流体；在所述第一超临界流体和第二流体之间形成界面；在所述第二优选流体的压力下，将至少部分所述第一超临界流体从容器中置换出来，同时维持之间的界面。 | ||
| 搜索关键词： | 转移 微电子 其它 工业 生产过程 中的 临界 流体 方法 | ||
【主权项】：
1.一种将超临界流体从压力容器中置换出来的方法，其包括以下步骤：提供密闭压力容器，其中含有超临界流体，所述超临界流体包括二氧化碳；向所述容器中加入第二流体，其中第二流体添加的压力高于所述超临界流体的压力，第二流体的密度低于所述超临界流体；在所述超临界流体和第二流体之间形成界面；在所述第二流体的压力下，将至少部分所述超临界流体从容器中置换出来，同时维持其间的界面。
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