[发明专利]用于光电子器件的分布式布拉格反射器

摘要

一种氧化受限的垂直腔面发射激光器(VCSEL)具有一种分布式布拉格反射器，该反射器的一层重掺杂的铝浓度较高的氧化物开口形成层设于铝浓度较低的第一层和铝浓度中等的第二层之间。在第一层和氧化物开口形成层之间可存在很薄的过渡层，在该过渡层中，铝浓度从高向低发生变化。在某些实施例中，铝浓度可从氧化物开口形成层一步变到第二层。氧化物开口形成层可设于由谐振激光产生的电场的零位或其中一个节点处，或设于这些点附近。在氧化物开口形成层的氧化过程中，所有或部分含铝的其他DBR层也可被氧化，但是其氧化程度会轻得多。这些层的氧化部分和未氧化部分之间的结被认为会降低该装置的稳定性和/或可靠性。为了减轻这种不良后果，本发明试图用离子注入、蚀刻或是其它合适的工艺来减少或消除与这些层的氧化部分和未氧化部分之间结相关联的一个或多个电气后果，同时也用其来减轻DBR的其他各含铝层的氧化。

主权项

1.一种分布式布拉格反射器(DBR)，包括：一个或多个第一DBR反射镜层，所述一个或多个第一DBR反射镜层各包括一个氧化区，该区从DBR的一个边缘延伸到与所述DBR的该边缘相距大于第一距离的氧化终止边缘；一个或多个第二DBR反射镜层，所述一个或多个第二DBR反射镜层各包括一个氧化区，该区从所述DBR的一个边缘延伸到与所述DBR的该边缘相距小于第二距离的氧化终止边缘，其中所述第一距离大于所述第二距离；所述第一DBR反射镜层中的至少一个选定层，该层包含的可氧化物质浓度大于所述一个或多个第二DBR反射镜层中任一层，且被掺杂的程度高于所述一个或多个第二DBR反射镜层中的任一层。