[发明专利]具电荷捕捉存储器单元的半导体存储器及制造方法

摘要

在本发明具有NROM单元的半导体存储器中，该存储器晶体管(T)的沟道区域是以横切关于相关字线(2)的方向延伸，该位线是配置在该字线的顶端，而以电绝缘于该字线的方法配置，且形成电导交叉连接(21)，并分段配置于该字线间的内隙，且以电绝缘该字线的方法配置，而皆以次二序列连接至该位线。

主权项

1.一种存储器阵列结构，其包含：一基板，其具有一第一极性，其包含复数个浅沟槽绝缘区域，其实质上是沿着一第一方向(y)连续配置；复数个传导字线，其是沿着一第二方向(x)配置，该第二方向是横切该第一方向，该字线是借助一捕捉介电质而至少部分地与该基板绝缘，其中邻接字线间的该基板区域是以一具有一第二极性的杂质布植，藉此产生复数个源极/漏极区域，其是由在该第二方向(x)的该沟槽绝缘所束缚，该源极/漏极区域是交替以奇数和偶数编号的行配置，而沿着该第一方向(y)，且交替以偶数和奇数编号的列配置，而沿着该第二方向(x)；复数个传导跳线连接，其实质上是于该沟槽绝缘区域的上，该等区域电连接该源极/漏极区域对，在偶数编号列的每一对源极/漏极区域是连接在偶数编号行的源极/漏极区域，以及在接续奇数编号行的相邻源极/漏极区域，而在奇数编号列的每一队源极/漏极区域是连接在奇数编号行的源极/漏极区域，以及在接续偶数编号行的相邻源极/漏极区域；以及复数个传导位线，其是沿着该第一方向(y)在该跳线连接上配置，每一该位线是连接复数个跳线连接，而在该偶数编号列或是该奇数编号列。