[发明专利]场致发射器件和该器件的制造方法无效
| 申请号： | 200380105634.3 | 申请日： | 2003-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN1723519A | 公开（公告）日： | 2006-01-18 |
| 发明（设计）人： | T·J·温克;M·A·维斯楚伦;M·F·吉尔里斯 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;G03F7/00;H01J1/304 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;梁永 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 提供一种具有阴极(120)和栅极(140)的场致发射器件(100)。在这些电极之间提供构图的介电层(130)。根据本发明，该介电层(130)通过液体模压步骤，也就是使液体材料(131)与构图的压模(150)相接合，由构图的液体前体材料(131)制成。在除去压模(150)之后，固化液体材料以形成构图的介电层(130)。优选，在后续的制造步骤中，在构图的介电层(130)上以自对准的方式形成阴极(120)或栅极(140)。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种场致发射器件的制造方法，包括以下步骤：在衬底上提供液体材料层；使所述液体材料层与构图的压模相接合以模压该层，固化液体材料层，从而形成固化的、构图的介电层，和在所述的构图的介电层上形成电极。
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