[发明专利]背面入射型光电二极管阵列、其制造方法以及半导体装置无效
| 申请号： | 200380103582.6 | 申请日： | 2003-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN1714454A | 公开（公告）日： | 2005-12-28 |
| 发明（设计）人： | 柴山胜己;石田雅之;能野隆文 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/14 | 分类号： | H01L27/14;G01T1/20;H04N5/32 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种背面入射型光电二极管阵列(1)，具有由第一导电型半导体构成的半导体基板(3)，在该半导体基板(3)的被检测光(L)的入射面的相反面侧上形成有多个光电二极管，其中，在半导体基板(3)的相反面侧上以阵列状排列形成有多个凹部(4)，通过在凹部(4)的底部(4a)上形成由第二导电型半导体构成的第二导电型半导体区域(5)来以阵列状排列光电二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 背面 入射 光电二极管 阵列 制造 方法 以及 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种背面入射型光电二极管阵列，其特征在于，包括：具有光入射面、以及位于所述光入射面的相反侧且具有多个凹部的相反面的第一导电型半导体基板，以及在所述各凹部的底部隔离开空间的多个第二导电型半导体区域，所述各半导体区域与所述半导体基板一起构成pn接合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
