[发明专利]制造及试验硅器件中的耐腐蚀槽的方法有效
| 申请号： | 200380103500.8 | 申请日： | 2003-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN1711623A | 公开（公告）日： | 2005-12-21 |
| 发明（设计）人： | J·M·哈里斯;S·帕特尔 | 申请（专利权）人： | 红杉微系统股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/44 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈剑华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用来制造硅器件的润湿通道中的耐腐蚀槽的方法能使该器件与腐蚀性化合物，例如氟一同使用。MEMS器件的润湿通道用(1)耐原子氟侵蚀的有机化合物，或者(2)能被原子氟钝化的材料覆盖。然后，将该器件暴露在当通过等离子体放电活化时分解生成活性氟的气体中。该气体的一个例子是CF4，它是一种比操作挥发性的气体如ClF3要简单和安全的惰性气体。该气体将使所述材料(如果使用的话)钝化，并腐蚀任何露出的硅。以这样一种方式试验该器件：任何润湿通道的不可接受的腐蚀都将导致器件无法工作。如果该器件能正确地操作，则认为所述润湿通道耐氟或耐其它腐蚀性化合物(当它们使用时)的腐蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 试验 器件 中的 腐蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种保护硅器件的润湿通道不受氟原子腐蚀并试验该保护充分程度的方法，该方法包括：用能被氟原子钝化的材料覆盖所述润湿通道；将所述润湿通道暴露在包含氟原子的气氛中，该气氛将钝化所述材料并腐蚀所述润湿通道中任何露出的硅；以所述润湿通道中的腐蚀会导致所述硅器件无法工作的方式试验所述硅器件；根据所述试验过程中所述硅器件的令人满意的操作，确定所述润湿通道不受氟原子的腐蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
