[发明专利]半导体材料纳米线的分散系

摘要

提供一种制造纳米线(104)的方法，根据该方法，通过用交变电流密度阳极刻蚀半导体衬底(10)制备纳米线，从而产生具有不同直径的第一区域(4)和第二区域(5)。之后，优选通过重复氧化和刻蚀步骤减小所述直径。最后，通过超声振动将纳米线(104)分散在分散系中，由此将连结的纳米线分裂成长度基本均匀的独立纳米线。然后给纳米线提供合适材料构成的表面层，例如，发光材料表面层。

主权项

1.一种制造半导体材料纳米线的方法，包括步骤：在由半导体材料构成的衬底表面上提供具有开口的图形化刻蚀掩模，这些开口具有基本均匀的间距；将具有刻蚀掩模的衬底放置在用于半导体材料的液体刻蚀剂中；在某个电流密度下进行阳极刻蚀以形成基本上平行的孔，这些孔的间距和刻蚀掩模中开口的间距相对应，使得所述孔的直径变得至少和所述孔的间距一样大，由此形成纳米线；氧化纳米线的表面，通过刻蚀去除所述表面；以及通过振动从衬底去除纳米线，其特征在于，在第一和第二时间段进行阳极刻蚀，这两个时间段对应于沿纳米线的第一和第二区域，从而使得刻蚀在第二时间段以比第一时间段中高的电流密度发生，以便所形成的纳米线在第一区域比第二区域有更大的直径，结果是去除时纳米线在第二区域断裂。