[发明专利]纳米结构、具有这种纳米结构的电子器件和纳米结构的制造方法有效
申请号: | 200380102776.4 | 申请日: | 2003-10-23 |
公开(公告)号: | CN1711648A | 公开(公告)日: | 2005-12-21 |
发明(设计)人: | E·P·A·M·巴克斯;A·R·巴肯恩德;L·F·菲纳 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L21/208 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 吴立明;梁永 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | InP或者其它II-VI或者III-V材料的化合物纳米管表现出非常大的蓝移。因此,通过引入这种纳米管提供在电磁频谱的可见光范围中具有光致发光和电致发光效应的器件。 | ||
搜索关键词: | 纳米 结构 具有 这种 电子器件 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种无机半导体材料的纳米结构,其特征在于,该纳米结构包括具有结晶覆盖物和中空内核的纳米管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于皇家飞利浦电子股份有限公司,未经皇家飞利浦电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200380102776.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。