[发明专利]垂直晶格磁介质无效
| 申请号： | 200380102521.8 | 申请日： | 2003-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN1708788A | 公开（公告）日： | 2005-12-14 |
| 发明（设计）人： | 加里·R.·朗德斯塔姆 | 申请（专利权）人： | 伊美申公司 |
| 主分类号： | G11B5/74 | 分类号： | G11B5/74;G11B5/00;G11B5/09;G11B5/58;G11B5/82;G11B5/86 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 董莘 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及用于磁记录和数据存储的晶格磁介质，和能被用于磁调节晶格的各种调节技术。例如，介质能被形成来表现由晶格区和非晶格区定义的表面变化图案。描述技术用于磁调节晶格区。技术对于垂直晶格介质可能有用，即，具有形成于介质表面并具有垂直于介质表面的磁各向异性的晶格的介质。特别是，垂直磁各向异性被发现是允许有效调节具有相对小的宽度的晶格特征的重要因素。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 晶格 介质 | ||
【主权项】：
1.一种磁记录介质，包括：衬底；和形成于所述衬底之上、表现出垂直磁各向异性的磁记录层，所述磁记录层包括由晶格区和非晶格区所限定的表面变化图案，其中所述晶格区与所述非晶格区不同地被磁化。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于伊美申公司，未经伊美申公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200380102521.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
