[发明专利]上下倒置的光电检测器无效
| 申请号： | 200380102474.7 | 申请日： | 2003-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN1708862A | 公开（公告）日： | 2005-12-14 |
| 发明（设计）人： | J·O·沃尔曼;G·W·德荣格 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/10 | 分类号： | H01L31/10;H01L27/144 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;陈景峻 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 通过允许光(20)经由衬底层(1)入射，并将表面层(3)用作反射镜，从而上下倒置地使用光电二极管，根据这一基本思想可以改进光电二极管的效率。这样，外延层(2)就近似有两倍的机会将光子转变为电子空穴对：在光子来自衬底层(1)时的第一次通过过程中将光子转变为电子空穴对，或者在光子被表面层(3)反射之后的第二次通过过程中将光子转变为电子空穴对。表面层(3)包括金属条(6、7、8)和金属反射镜(9、10)，并且包括与焊点凸起(4、5)相连的金属区域(15、16)，所述焊点凸起用于将所述光电检测器精确安装到柔性印刷电路板上。外延层(2)和该外延层(2)中的区域(17、18、19)构成了第一个二极管的电极，外延层(2)和衬底层(1)构成了第二个二极管的电极，当把两个二极管的光电流相加时，所述效率近似再次加倍。衬底层(1)包括硅上绝缘体和/或刻蚀限位块，从而能够通过击除硅和/或刻蚀直到所述刻蚀限位块为止来容易地使该衬底层变薄。 | ||
| 搜索关键词： | 上下 倒置 光电 检测器 | ||
【主权项】：
1.一种用于转变经由光电检测器的至少一侧入射的至少一个光信号的光电检测器，其包括至少一个衬底层、至少一个外延层和至少一个表面层，其中所述一侧包括所述衬底层，并且所述表面层具有用于反射至少部分所述光信号的反射镜功能。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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