[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200380102469.6 | 申请日： | 2003-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN1708856A | 公开（公告）日： | 2005-12-14 |
| 发明（设计）人： | C·格拉斯;S·D·布罗特尔顿 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/786;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;梁永 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种通过在第一掺杂物注入步骤中使用栅极(10)作为掩膜制造的具有覆盖其沟道的栅极(10)的多晶硅GOLDD薄膜晶体管。然后毗邻栅极(10)形成包括在蚀刻处理中被圆角(17)限定的金属层(19)部分的间隔(13、14)。然后间隔和棚极被用作用于掺杂源区和漏区的掩膜，从而提供一种能够自对准制造技术。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜晶体管，其包括在源区(5)和漏区(6)间延伸的多晶硅沟道(11)，覆盖该沟道的栅极(10)，和其中的厚度限定直立栅极侧壁(15、16)，轻掺杂漏极区(12a、12b)和覆盖轻掺杂漏极区的间隔(13、14)，其中间隔包括既覆盖轻掺杂漏极区又沿直立栅极侧壁延伸的导电区(13a、13b、14a、14b)。
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