[发明专利]用于驱动作为同步整流器的功率MOS器件的方法和装置无效
| 申请号： | 200380102332.0 | 申请日： | 2003-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN1985431A | 公开（公告）日： | 2007-06-20 |
| 发明（设计）人： | B·C·那达;X·德富如特斯;A·墨瑞尔 | 申请（专利权）人： | 国际整流器公司 |
| 主分类号： | H02M7/00 | 分类号： | H02M7/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一个同步整流器，其包括：一个MOSFET器件和一个用于驱动该MOSFET器件的栅极的栅极驱动器，该MOSFET器件包括耦接的第一和第二MOSFET晶体管，它们的漏极－源极路径平行，以通过MOSFET晶体管的漏极－源极路径接收一个用于整流的交流电波形，第一晶体管具有低导通电阻，第二晶体管具有高导通电阻，藉此，当流过该MOSFET器件的电流低于一个阈值时，该MOSFET器件的视在导通电阻增加，从而实现过零检测。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 驱动 作为 同步 整流器 功率 mos 器件 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种同步整流器，包括：一个MOSFET器件；和一个栅极驱动器，用于驱动该MOSFET器件的栅极，该MOSFET器件包括耦接的第一和第二MOSFET晶体管，第一和第二MOSFET晶体管的漏极-源极路径平行以通过MOSFET晶体管的漏极-源极路径接收用于整流的交流电波形，第一晶体管具有一个低导通电阻，第二晶体管具有一个高导通电阻，藉此，当流过该MOSFET器件的电流低于一个阈值时，该MOSFET器件的视在导通电阻增加，从而实现过零检测。
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