[发明专利]光致抗蚀剂去除用超临界二氧化碳/化学制剂无效
| 申请号： | 200380102242.1 | 申请日： | 2003-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN1708362A | 公开（公告）日： | 2005-12-14 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·B·克赞斯基;埃利奥多·G·根丘;许从应;托马斯·H·包姆 | 申请（专利权）人： | 高级技术材料公司 |
| 主分类号： | B05D1/00 | 分类号： | B05D1/00;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 樊卫民;杨青 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 从半导体基片上去除光致抗蚀剂和离子注入光致抗蚀剂所用的光致抗蚀剂清洗组合物。在去除非离子注入光致抗蚀剂时，该清洗组合物含有超临界CO2(SCCO2)和醇。当已对光致抗蚀剂进行离子注入时，该清洗组合物还含有氟离子源。该清洗组合物克服了SCCO2作清洗剂的固有缺陷，即SCCO2的非极性特性并因此不能溶解光致抗蚀剂中存在的而且必须从半导体基片上有效清洗掉的如无机盐和极性有机溶剂的物质。该清洗组合物能够对带有光致抗蚀剂或离子注入光致抗蚀剂的基片进行无损伤、无残留的清洗。 | ||
| 搜索关键词： | 光致抗蚀剂 去除 临界 二氧化碳 化学 制剂 | ||
【主权项】：
1.光致抗蚀剂清洗组合物，包括SCCO2和醇。
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