[发明专利]包含电容器及较佳平面式晶体管的集成电路装置及制造方法有效
| 申请号: | 200380101668.5 | 申请日: | 2003-10-10 |
| 公开(公告)号: | CN1706045A | 公开(公告)日: | 2005-12-07 |
| 发明(设计)人: | R·布雷德洛;J·哈特维奇;C·帕查;W·雷斯纳;T·舒尔滋 | 申请(专利权)人: | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 吴立明;梁永 |
| 地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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| 摘要: | 本发明说明了一种集成电路装置(140),尤其是一种含有一较佳平面式晶体管(142)与一电容器(144)的集成电路装置(140),该电容器(144)的底部电极与该晶体管(142)的一信道区域共同排列在一SOI基板中,该电路装置(140)易于制造且具有绝佳的电子特性。 | ||
| 搜索关键词: | 包含 电容器 平面 晶体管 集成电路 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种集成电路装置(140),其具有一电性绝缘绝缘区域及至少一组区域,该组区域形成一电容器(144)且该电容器(144)依下列顺序包含:一靠近该绝缘区域的电极区域(34),一介电区域(46),以及一远离该绝缘区域的电极区域(56),该绝缘区域是排列在一平面中的一绝缘层(14)的一部份,该集成电路装置(140)的该电容器(144)与至少一主动组件(142)是排列在该绝缘层(14)的同一侧,而靠近该绝缘区域的该电极区域(34)与该组件(142)的主动区域(84)是排列在一平行于该绝缘层(14)所在平面的平面中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





