[发明专利]薄膜晶体晶片的制造方法、使用该晶片的半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200380101552.1 | 申请日： | 2003-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN1706033A | 公开（公告）日： | 2005-12-07 |
| 发明（设计）人： | 秦雅彦 | 申请（专利权）人： | 住友化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 郭煜;庞立志 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 通过外延生长形成GaAs单晶10的n+－GaAs层8之后，接着在同一外延生长炉内使Si层11外延生长，然后将铝电极12作为欧姆电极形成于Si层11上。利用Si层11能够抑制在n+－GaAs层8表面形成表面缺陷能级，能够有效防止不需要的势垒的形成。由于Si层11表面状态平坦且化学稳定性优异，因此通过使用对于Si层11具有适当的功函的铝等形成电极12，能够制成良好的欧姆电极。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 晶体 晶片 制造 方法 使用 半导体器件 及其 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，是使用了3-5族化合物半导体单晶的半导体器件，在该器件中，具备经掺杂的3-5族化合物半导体单晶外延层、在该3-5族化合物半导体单晶外延层上形成的Si层、和在该Si层上作为欧姆电极而形成的金属电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
