[发明专利]薄膜形成方法及其装置有效
| 申请号： | 200380100884.8 | 申请日： | 2003-10-03 |
| 公开（公告）号： | CN1703533A | 公开（公告）日： | 2005-11-30 |
| 发明（设计）人： | 上田仁;高木朋子;伊藤宪和 | 申请（专利权）人： | 石川岛播磨重工业株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/509 | 分类号： | C23C16/509;H01L21/205;H01L31/04 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郝庆芬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种太阳能电池以及适合其量产的薄膜形成方法及其装置。形成将第一直线状导体和第二直线状导体的各自的第一端互相电连接的多个天线元件。通过将上述多个天线元件在平面上排列成第一直线状导体和第二直线状导体交互等间隔排列，设置在腔室内，从而形成一个以上的阵列天线。将上述各第一直线状导体的第二端与高频电源连接，将上述各第二直线状导体的第二端接地。在上述阵列天线的两侧平行地、分别以和上述间隔相同的间距设置多个基板。在上述腔室内导入原料气体，进行成膜。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 形成 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜形成方法，其特征在于：形成将第一直线状导体和第二直线状导体的各自的第一端互相电连接的多个天线元件，通过将上述多个天线元件在平面上排列成第一直线状导体和第二直线状导体交互等间隔排列，设置在腔室内，从而形成一个以上的阵列天线，将上述各第一直线状导体的第二端与高频电源连接，将上述各第二直线状导体的第二端接地，在上述阵列天线的两侧平行地、分别以和上述间隔相同的间距设置多个基板，在上述各基板上进行成膜。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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