[发明专利]磁光记录介质、信息记录/读出方法和磁记录装置无效

专利信息
申请号: 200380100557.2 申请日: 2003-10-24
公开(公告)号: CN1692419A 公开(公告)日: 2005-11-02
发明(设计)人: 上村拓也;田中努;玉野井健;松本幸治 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: G11B11/10 分类号: G11B11/10;G11B11/105
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 代理人: 赵飞
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及具有记录层的磁光记录介质,该介质在记录层侧被记录光照射并被施加磁场,其中通过记录光的照射和磁场的施加,数据被记录到记录层上。本发明的目的是提供一种磁光记录介质,它能够在读出期间用高功率激光束照射而不增大噪声,并且其记录层在记录期间可以用中等功率激光束充分加热以减小其矫顽磁力。该磁光记录介质包括衬底;形成在衬底上并具有预定的高导热率第一散热层;形成在第一散热层上并具有比所述高导热率低的低导热率的分隔层;形成在分隔层上并具有比所述低导热率高但比所述高导热率低的预定导热率的第二散热层;和记录层,该记录层形成在散热层的上方,并且数据通过记录光的照射和磁场的施加被记录到所述记录层上。
搜索关键词: 记录 介质 信息 读出 方法 装置
【主权项】:
1.一种磁光记录介质,包括:衬底;第一散热层,所述第一散热层形成在所述衬底上,并具有预定的高导热率;分隔层,所述分隔层形成在所述第一散热层上,并具有比所述高导热率低的低导热率;第二散热层,所述第二散热层形成在所述分隔层上,并具有比所述低导热率高但比所述高导热率低的预定导热率;和记录层,所述记录层形成在所述散热层的上方,并且数据通过记录光的照射和磁场的施加被记录在所述记录层上。
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