[发明专利]半导体晶片的切割方法和切割方法中使用的保护片

摘要

在通过等离子蚀刻切割半导体晶片6的半导体晶片切割方法中，保护片30通过粘结层30c粘到电路形成面6a上，在保护片30上，在绝缘片30a的一个面上形成有等离子蚀刻率低的金属层30b，并且等离子从掩模侧暴露于电路形成面6a的相对侧，通过用抗蚀剂膜31a覆盖除切割线31b以外的区域而形成掩模，以便在切割线部分上进行等离子蚀刻。由于以上结构，使用金属层作为蚀刻停止层来抑制蚀刻进程是可能的。因此，能够避免蚀刻进程的波动，并且能够防止引起保护片的热损坏。

主权项

1.一种切割半导体晶片的方法，其中在所述半导体晶片的第一面上形成有半导体元件，通过等离子蚀刻从与所述第一面相对的第二面切割所述半导体晶片，包括：片附加步骤，将保护片附加到所述第一面上；掩模形成步骤，形成掩模以确定用于切割所述半导体晶片的、所述第二面上的切割线；和等离子蚀刻步骤，通过从掩模侧暴露所述半导体晶片于等离子，在所述切割线部分上进行等离子蚀刻，其中所述保护片由成为基底材料的绝缘片和位于所述绝缘片的一个面上的、比所述半导体晶片的等离子蚀刻率更低的金属层构成，以及在所述片附加步骤中将金属层一侧经由粘结层附加到所述第一面上。