[发明专利]利用等离子体CVD的成膜方法以及装置有效
| 申请号： | 200380100145.9 | 申请日： | 2003-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN1777694A | 公开（公告）日： | 2006-05-24 |
| 发明（设计）人： | 多田国弘;横井裕明;若林哲;成嵨健索 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/08;C23C16/34;H01L21/28;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种利用等离子体CVD在被处理基板(W)上形成规定薄膜的成膜方法，该方法至少交替各进行一次所述第一以及第二工序。第一工序中，一边将含有薄膜成份的化合物气体和还原气体供给到收纳基板(W)的处理腔室(51)内，一边在处理腔室(51)内生成第一等离子体。第二工序中，继第一工序之后，一边将所述还原气体供给到处理腔室(51)内，一边在处理腔室(51)内生成第二等离子体。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 等离子体 cvd 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
1.一种成膜方法，利用等离子体CVD在被处理基板上形成规定薄膜，其特征在于，该成膜方法包括：一边将含有所述薄膜成份的化合物气体和还原气体供给到收纳所述基板的处理腔室内，一边在所述处理腔室内生成第一等离子体的第一工序；和继所述第一工序之后，一边将所述还原气体供给到所述处理腔室内，一边在所述处理腔室内生成第二等离子体的第二工序，至少交替各进行一次所述第一以及第二工序。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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