[发明专利]抛光方法无效
| 申请号： | 200380100128.5 | 申请日： | 2003-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN1685482A | 公开（公告）日： | 2005-10-19 |
| 发明（设计）人： | 高桥信行;鸟居弘臣;正木干彦;枇杷田宽 | 申请（专利权）人： | 株式会社荏原制作所 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B37/04 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜利 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 转动半导体晶片(W)和抛光台(100)。抛光台(100)上具有一个抛光面。半导体晶片(W)挤压在位于以第一转速转动的抛光台(100)上的所述抛光面上，以抛光半导体晶片(W)。半导体晶片(W)在其挤压在所述抛光面上之后从所述抛光面上分离。在半导体晶片(W)从所述抛光面上分离之前，将抛光台(100)的转速降至低于所述第一转速的第二转速，以在半导体晶片(W)与抛光台(100)之间提供转速差。 | ||
| 搜索关键词： | 抛光 方法 | ||
【主权项】：
1.一种抛光方法，包括：转动工件；转动抛光台，所述抛光台上具有抛光面；将所述工件挤压在以第一转速转动的所述抛光台上的所述抛光面上，以抛光所述工件；在所述挤压之后，将所述工件从所述抛光面上分离；以及在所述分离之前，将所述抛光台的转速降低到低于所述第一转速的第二转速，以在所述工件的转速与所述抛光台的转速之间提供转速差。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社荏原制作所，未经株式会社荏原制作所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200380100128.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：在已经移去薄层之后对包括缓冲层的晶片的再循环
- 下一篇：无线收发装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
