[发明专利]平坦化半导体器件和钝化层的方法有效
申请号: | 200380100110.5 | 申请日: | 2003-12-18 |
公开(公告)号: | CN1685487A | 公开(公告)日: | 2005-10-19 |
发明(设计)人: | P·弗里斯;J·汉伯格 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L21/3213 | 分类号: | H01L21/3213;H01L21/308;H01L23/31;H01L21/56 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张雪梅;王忠忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 根据本发明的方法的实施例在半导体器件与部分周围钝化材料之间提供平坦化的表面。该方法包括在钝化层蚀刻工艺之后使用将平坦化表面限定为硬掩模与钝化层和器件两者之间的界面的硬掩模。最终的平坦化表面具有小至零的阶跃高度,其对钝化层不均匀性和蚀刻不均匀性不敏感,提供器件侧壁的完整钝化,保护器件不受蚀刻引起的损害,和防止钝化层空隙的有害影响。该方法可用于电子和光子系统的半导体器件制造,诸如,但不受限于,蜂窝电话、网络系统、高亮度(HB)发光二极管(LED)、激光二极管(LD)和多结太阳能电池。 | ||
搜索关键词: | 平坦 半导体器件 钝化 方法 | ||
【主权项】:
1、一种制造微电子元件的方法,包括:在衬底上形成器件层;在器件层上形成硬掩模层;在硬掩模层上形成抗蚀剂掩模,来限定暴露的硬掩模层;从器件层上除去暴露的硬掩模层以形成限定暴露的器件层的硬掩模;从衬底上除去抗蚀剂掩模和暴露的器件层;除去硬掩模与硬掩模周边附近的衬底之间的部分器件层来限定器件层与硬掩模之间的阶跃界面;用钝化层覆盖器件层和至少部分硬掩模以及相邻的衬底,来限定钝化层表面;将钝化层表面降低至暴露硬掩模;和除去硬掩模。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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