[发明专利]平坦化半导体器件和钝化层的方法有效

专利信息
申请号: 200380100110.5 申请日: 2003-12-18
公开(公告)号: CN1685487A 公开(公告)日: 2005-10-19
发明(设计)人: P·弗里斯;J·汉伯格 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L21/3213 分类号: H01L21/3213;H01L21/308;H01L23/31;H01L21/56
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 张雪梅;王忠忠
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 根据本发明的方法的实施例在半导体器件与部分周围钝化材料之间提供平坦化的表面。该方法包括在钝化层蚀刻工艺之后使用将平坦化表面限定为硬掩模与钝化层和器件两者之间的界面的硬掩模。最终的平坦化表面具有小至零的阶跃高度,其对钝化层不均匀性和蚀刻不均匀性不敏感,提供器件侧壁的完整钝化,保护器件不受蚀刻引起的损害,和防止钝化层空隙的有害影响。该方法可用于电子和光子系统的半导体器件制造,诸如,但不受限于,蜂窝电话、网络系统、高亮度(HB)发光二极管(LED)、激光二极管(LD)和多结太阳能电池。
搜索关键词: 平坦 半导体器件 钝化 方法
【主权项】:
1、一种制造微电子元件的方法,包括:在衬底上形成器件层;在器件层上形成硬掩模层;在硬掩模层上形成抗蚀剂掩模,来限定暴露的硬掩模层;从器件层上除去暴露的硬掩模层以形成限定暴露的器件层的硬掩模;从衬底上除去抗蚀剂掩模和暴露的器件层;除去硬掩模与硬掩模周边附近的衬底之间的部分器件层来限定器件层与硬掩模之间的阶跃界面;用钝化层覆盖器件层和至少部分硬掩模以及相邻的衬底,来限定钝化层表面;将钝化层表面降低至暴露硬掩模;和除去硬掩模。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司,未经英特尔公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200380100110.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top