[发明专利]半导体集成装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200380100107.3 | 申请日： | 2003-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN1685515A | 公开（公告）日： | 2005-10-19 |
| 发明（设计）人： | 冈田吉弘;大乡尚彦;佐佐木薰 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/14 | 分类号： | H01L27/14;H04N5/335;H01L23/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体集成装置及其制造方法。其中该装置包括：把固体摄像元件的至少一部分遮光的遮光膜(418)；与遮光膜(418)形成在同一层中，一端与焊盘电极(322)连接，并且另一端延伸到半导体基板(300)的侧边的第一布线(407)；绕过半导体基板(300)的侧面而配置，与第一布线(407)连接的第二布线(414)；密封固体摄像元件的密封部件(324)。由此，可更容易地制造具有内部布线的半导体集成装置，且不会损害元件的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成装置，其特征在于：包括：在半导体基板上具有接收光产生信息电荷的受光部和把存储在所述受光部中的信息电荷传输的传输部，通过沿着所述半导体基板的一边配置的焊盘电极被提供电压的固体摄像元件；形成在所述半导体基板上，把所述传输部的至少一部分遮光的遮光膜；与所述遮光膜形成在同一层中，一端连接在所述焊盘电极上，并且另一端延伸到所述半导体基板的侧边的第一布线；绕过所述半导体基板的侧面配置，与所述第一布线连接的第二布线；密封所述固体摄像元件的密封部件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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