[实用新型]多层预烧板结构无效
| 申请号: | 200320100825.8 | 申请日: | 2003-10-10 |
| 公开(公告)号: | CN2715339Y | 公开(公告)日: | 2005-08-03 |
| 发明(设计)人: | 彭志伟;柯林·保格 | 申请(专利权)人: | 威盛电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 高龙鑫;楼仙英 |
| 地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | 本实用新型提供了一种多层预烧板结构,能将电源均匀地分送至多个待测的集成电路组件中,主要包含有:至少一电源层,设置于该多层预烧板之中;多个电源条块,设置于该多层预烧板的表面上,形成多个待测区块;多个待测组件插槽,分别设置于该多个待测区块中,用以插置待测的集成电路组件;以及多个导电塞,设置于该多层预烧板之中,将该多个电源条块与该多个待测组件插槽电性连接至该电源层。如此使多层预烧板能有效降低由电源端至待测组件之间线路的电压降,并使待测的集成电路组件能获得均匀且一致的电源,以及能大幅减少电源层的热消耗而具散热的效果。 | ||
| 搜索关键词: | 多层 板结 | ||
【主权项】:
1.一种多层预烧板结构,用于测试多个集成电路组件,其特征是包括有:至少一电源层,设置于该多层预烧板之中;多个电源条块,设置于该多层预烧板之上,形成多个待测区块;多个待测组件插槽,设置于该多个待测区块中,其中每一该待测组件插槽可插置一该集成电路组件;多个导电塞,设置于该多层预烧板之中,将该多个电源条块与该多个待测组件插槽电性连接至该电源层,该电源层经由该多个导电塞与该多个电源条块连接,该多个待测的集成电路组件获得均匀且一致的电源。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





